related to the presence of the hete

related to the presence of the heterogeneous nanoperforated TiO2 layer on the Si wafer, is efficient to govern the nucleation growth and dispersion of crystalline Ge nanoparticles from thermal annealing of an initial amorphous continuous layer

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของชั้น heterogeneous nanoperforated TiO2 บนเวเฟอร์ศรี มันมีประสิทธิภาพในการควบคุมการเจริญเติบโตและ nucleation กระจายเก็บกัก Ge ผลึกจากการเริ่มต้นในระหว่างการหลอมของชั้นต่อเนื่องไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่เกี่ยวข้องกับการปรากฏตัวของชั้น TiO2 ที่แตกต่างกันใน nanoperforated ศรีเวเฟอร์ที่มีประสิทธิภาพในการควบคุมการเจริญเติบโตของนิวเคลียสและการกระจายของอนุภาคนาโน Ge ผลึกจากระยะเวลาการอบความร้อนของชั้นสัณฐานเริ่มต้น